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Mit einem Elektronenmikroskop kann eine deutlich höhere Auflösung (derzeit etwa 0,1 nm) erreicht werden als mit einem Lichtmikroskop. Hochspannungsversorgungen für Elektronenmikroskope bestehen meist aus mehreren miteinander verbundenen (in Reihe oder parallel geschalteten) Spannungsversorgungen kleiner Leistung für die verschiedenen Elektroden zur Steuerung des Elektronenstrahls. Hohe Anforderungen bezüglich der Stabilität und des Zusammenwirkens Spannungsquellen müssen erfüllt werden. 

Man unterscheidet Transmissionselektronenmikroskope und Rasterelektronenmikroskope. Da die Auflösung von der Wellenlänge abhängig ist, steigt sie mit der Energie der verwendeten Elektronen und somit mit der Beschleunigungsspannung. Andererseits erhöht sich bei höherer Strahlenergie auch die Eindringtiefe, so daß für Oberflächenuntersuchungen auch die sogenannte "Low Energy Electron Microscopy" LEEM zum Einsatz kommt, bei der die Anforderungen an die Stabilität der Beschleunigungs-, Fokussierungs- und Ablenkspannungen besonders hoch sind.

Prinzip (Sekundärelektronen - Rastermikroskop):

Beispiel:

HCV252M-15000a.jpg (164748 Byte)HCV 252MM - 15000: Hochspannungsversorgung für LEEM

Basispotential: 0 - 15kV, max. 1mA
Objektpotential: -5V - +2kV
Bombardment: 0 - 1,5kV, 0 - 100mA
Untere Feldstärke: -2kV - +5kV
Apertur 1: 0 - 10kV, max. 1mA
Apertur 2: 0 - 15kV, max 1 mA
Filament: 0 - 5A, max 10V, Emissionsstromregelung
Spannungsquellen teilweise auf Hochspannungspotential, Stabilitätswerte bis 0,8ppm.

 

 

 

 

 

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 03.12.07 14:48

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Stand: 01. Februar 2012
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