Lithographie

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Vom Prinzip her gleicht eine Anlage zur Elektronenstrahllithographie einem Rasterelektronenmikroskop. Während in der Mikroskopie allerdings die Materialien nur untersucht und nicht verändert werden sollen, muß der Elektronenstrahl für die Lithographie die nötige Energiedichte aufweisen, um das Material zu bearbeiten. Die Anforderungen an die Stabilität der Hochspannung sind ähnlich hoch wie in der Mikroskopie.

Im Gegensatz zur optischen Lithographie lassen sich mit dem Elektronenstrahl kleinere Strukturen erzeugen, wodurch Halbleiterbauelemente mit höherer Packungsdichte möglich sind. Belichtungsmasken für die optische Lithografie werden oft mittels Elektronenstrahllithographie hergestellt.

Prinzip:

Beispiel:

HCV 23M - 6500: Hochspannungsversorgung für Elektronenstrahllithographie

Primärspannung:	0 - 6kV, 0 - 500µA
Extractorspannung:	0 - ±500V, max.
Supressorspannung:	0 - ±500V, max.
Filament:	6 - 10V, max. 2A

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03.12.07 14:48

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